1、从工业化发展来看,重心已由单晶向多晶方向发展,主要原由于:
[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少;
[2]对太阳电池来讲,方形基片更合算,通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料;
[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展,全自动浇铸炉每生产周期(50小时)可生产200公斤以上的硅锭,晶粒的尺寸达到厘米级;
[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快,其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产,例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极,采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米,高度达到15微米以上,快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间,单片热工序时间可在一分钟之内完成,采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14%。据报道,现在在50~60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16%。使用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17%,无机械刻槽在同样面积上效率达到16%,采用埋栅结构,机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8%。
2、下面从两个方面对多晶硅电池的工艺技术进行讨论。
2.1实验室高效电池工艺
实验室技术通常不考量电池制作的成本和是否可以大规模化生产,仅仅研究达到最高效率的方法和途径,提供特定材料和工艺所能够达到的极限。
侧石施工工艺流程:施工放样→刨槽→铺垫层→安装→浇筑后戗;人行道花砖工艺流程:下承层准备→施工放样→运送材料→拌制铺筑砂浆→安装面砖→灌缝→自检→监理抽检→检测评定。